為什麼化合物半導體在微波及光電領域上可取代Si

為什麼化合物半導體在微波及光電領域上可取代Si??
矽除了是間接能隙外(效率低

速度慢)

它的能隙是1.12eV

利用普朗克常數換算

差不多等於1.10um波長的光能

是在紅外光的部份(可見光在1.77eV到3.10eV之間)。

所以在可見光領域的光電產品

矽派不上什麼用場。

其實

正因為矽在紅外線頻譜的吸收率高

所以矽的確有用在光電領域

而且獨佔優勢。

最明顯的例子就是太陽能面板

和紅外線感應器(IR sensor)。

此外

許多化合物半導體元件

是磊在矽基板上面的。

畢竟矽還是最多、最廉價的半導體材料。

這點

倒是化合物半導體短時間之內無法取代的。

因為化合物半導體的電子遷移率較快 適合做高速高頻的微波元件而且因為Si不是直接能隙 發光效率差 某些化合物半導體不但是直接能隙 而且可以經由改變組成來調變能隙 進而發出不同波長的光
1. 不管微波或光電

範圍都很大

這樣的問法

過於簡化2. 在微波及光電領域一直是以化合物半導體為主

並非去取代 Si

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